晶体管是一种可以放大信号或作为电控开关的半导体器件。 晶体管是一种三端器件，其中一端（或引线）的小电流或电压控制另一端（或引线）之间的大电流流动。
长期以来，真空管已经被晶体管所取代，因为晶体管的性能优于真空管。 晶体管体积小, 工作所需能量小, 耗电小. 最重要的有源元件之一是晶体管（一种能产生比输入信号功率更高的输出信号的器件）。
晶体管的种类
结晶体管
双极结晶体管是结晶体管（BJT）的别称。 “双极”一词意味着它需要电子和空穴来传导电流，而”结”一词意味着它包含一个PN结（事实上是两个结）。
BJT有三个端子:发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。BJT晶体管根据其结构分为NPN或PNP。
BJT主要是电流控制装置。 当少量电流流过BJT晶体管的基极时，它就会使大电流从发射极流向集电极。 双极结晶体管具有较低的输入阻抗，这使得大电流流过晶体管。
晶体管NPN
两种类型的双极结晶体管之一是NPN（BJT）。 NPN晶体管由两个n型半导体材料组成,由薄p型半导体层隔开。 在这种情况下，电子是大多数电荷载体，而空穴是少数电荷载体。 基极中的电流流控制电子从发射极到集电极的流动。
晶体管PNP
另一种类型的双极结晶体管是PNP（BJT）。 PNP晶体管由两个p型半导体材料组成,由n型半导体薄层隔开。 在PNP晶体管中，空穴是主要的电荷载体，而电子是少数电荷载体。 常规电流的流动由晶体管发射端子中的箭头表示。 电流在PNP晶体管中从发射极流向集电极。
场效应晶体管
另一种主要类型的晶体管是场效应晶体管（FET）。 本质上，FET也有三个终端（如BJT）。 三个端子如下:栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。 结场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（IG-FET）或金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是两种类型的场效应晶体管。
我们还考虑第四端子，称为基座或基板电路连接。 FET可以控制源极和漏极之间的沟道的大小和形状，而漏极是通过向栅极施加电压而形成的。
结场效应晶体管
结场效应晶体管（JFET）是场效应晶体管中最基本的一种。 JFET具有开关、放大器和电阻的功能。 这是一个电压控制晶体管。 不需要偏置电流。
基于函数的晶体管
小信号晶体管
小信号晶体管的基本功能是放大小信号，但有时这些晶体管也用于开关。 小信号晶体管在市场上以NPN和PNP晶体管的形式存在。 我们通常可以看到小信号晶体管本体上印着一些值，表示晶体管的hFE值。
小型开关晶体管
小型开关晶体管是主要用于开关的晶体管，但有时也用于放大。 小型开关晶体管，像小型信号晶体管，有NPN和PNP配置，这些晶体管具有高频值。
功率晶体管
功率晶体管是用于高功率放大器和电源的晶体管。 这种晶体管的集电极端子连接到金属器件的基座上，这种结构充当散热器，为应用消散多余的电力。
高频晶体管
高频晶体管用于高速开关应用，用于高频下工作的小信号。 射频晶体管是高频晶体管的另一个名称。
光电晶体管
光电晶体管是根据光来工作的晶体管，即这些晶体管是光敏的。 一个简单的光电晶体管只不过是一个双极晶体管，它包含光敏区，而不是基极。
光电晶体管只有2个端子，而不是3个端子（以BJT为单位。 当光敏区暗时，晶体管内没有电流流动，即晶体管处于截止状态。